トランジスタをVbeで選別

トランジスタのhFE、Vbeの測定にAVRトランジスタテスターを使っていましたが、精度が不明です。測定しなおすと値がまるで違ったりします。

測定時間もそこそこ長くかかります。

定電流源を使ったVbeの測定

「達人と作るアナログシンセサイザー自作入門」で紹介されているVbeの測定方法を試しました。

シミュレーション回路図

Q2が検査対象のNPNトランジスタです。

OPAMP U1とNPNトランジスタQ1周りの定電流源を使ってQ2のエミッタ電流を引っ張ります。Q2のエミッタ電流は100uAになるように定数を決めています。

OPAMP U1はVrefとVe1が等しくなるように働きます。

各部の電位

定電流源の出力電流I(R1)は0.1mA（100uA）になっています。

V(out) - GND間の電圧を測定すればQ2のベース・エミッタ電圧が計測できます。

ブレッドボード配線図

Q1: 2SC1815GR
U1: TL072

トランジスタのVbeは2mV/℃の温度計数があるので、測定時には作業用手袋をしてピンセットを使って熱が伝わらないようにしました。マスクも着用（＾ｑ＾；

電源はヘッドホンアンプ用に作った±9V安定化電源を使用しました。

実験結果

室温: 25.7℃～25.2℃
電源電圧: +8.95V / -9.05V

Vc1 -1.617V
Vb1 -3.518V
Ve1 -4.102V
U1+ -4.101V

2SC1815GR 80本を測定。

測定時にVbeの値が徐々に大きくなるので変化がゆるくなるタイミングで計測しました。

Vbe(mV)	個数
573	1
574	0
575	1
576	0
577	16
578	34
579	26
580	9
581	0
582	2
583	0
584	2
585	2
586	0
587	1

選別後何本か測定しなおしましたが、誤差1mV程度で収まっているようです。