アナログ回路とArduinoで作ったエンベロープ・ジェネレーター
Arduino_EGを利用していますが、今回はそれをソフトウェア的にシミュレートしました。
一番簡単なのはAttack、Release、Sustain、Relaseをパラメータとして線形補間することですが、よりアナログ的にCRの充放電をプログラムで表現しました。
LTSpiceによるArduio_EGのシミュレーション
シミュレーション回路図
過渡解析
数式に置き換える
プログラムの出力をグラフ化してコメントを加えたものです。
ADSR波形ですが、曲線はA、D、Rの3つです。SustainはAttackの終わりからGateがOffになるまでコンデンサを放電させる目標の電位です。
コンデンサに充電するステート(Attack)はある電位に達した時終了し、コンデンサから放電するステート(Decay)に切り替わりますが、今回は基準とする電位を0.6としています。
v3は前回の波形の最終的な電位です。初期値は0としています。
C++を使ったほうがスッキリとしますが、組み込み用途を想定してCで書きました。
プログラム
/*
* ADSR Envelope Test
*
*/
#include <stdio.h>
#include <stdint.h>
#include <math.h>
#define ATTACK_THRESHOLD (0.6f)
typedef enum {
stNone,
stAttack,
stDecay,
stRelease
} EGState;
typedef struct {
float attackR; // kΩ
float decayR; // kΩ
float sustainLevel; // 0.0f ~ ATTACK_THTESHOLD
float releaseR; // kΩ
float capacitance; // uF
EGState state;
float samplingPeriod; // second
uint32_t tick;
float amplitude;
float v1;
float v2;
float v3;
float t1;
float t2;
} Envelope;
void Envelope_init(Envelope* p_env, float samplingPeriod);
float Envelope_step(Envelope* p_env);
void Envelope_gateOn(Envelope* p_env);
void Envelope_gateOff(Envelope* p_env);
void Envelope_init(Envelope* p_env, float samplingPeriod)
{
p_env->samplingPeriod = samplingPeriod;
p_env->state = stNone;
p_env->amplitude = 0.0f;
p_env->v3 = 0.0f;
}
void Envelope_gateOn(Envelope* p_env)
{
p_env->v3 = p_env->amplitude;
p_env->tick = 0;
p_env->state = stAttack;
}
void Envelope_gateOff(Envelope* p_env)
{
p_env->v2 = p_env->amplitude;
p_env->t2 = p_env->tick * p_env->samplingPeriod;
p_env->state = stRelease;
}
static float attack(Envelope* p_env, float t)
{
float tau = p_env->attackR * p_env->capacitance / 1000.0f;
return 1.0f - ( 1.0f - p_env->v3 ) * expf( -t / tau );
}
static float decay(Envelope* p_env, float t)
{
float tau = p_env->decayR * p_env->capacitance / 1000.0f;
return ( p_env->v1 - p_env->sustainLevel ) * expf( -( t - p_env->t1 ) / tau ) + p_env->sustainLevel;
}
static float release(Envelope* p_env, float t)
{
float tau = p_env->releaseR * p_env->capacitance / 1000.0f;
return p_env->v2 * expf( -( t - p_env->t2 ) / tau );
}
float Envelope_step(Envelope* p_env)
{
float t = p_env->tick * p_env->samplingPeriod;
switch (p_env->state) {
case stNone:
break;
case stAttack:
p_env->amplitude = attack(p_env, t);
if (p_env->amplitude > ATTACK_THRESHOLD) {
p_env->v1 = p_env->amplitude;
p_env->t1 = t;
p_env->state = stDecay;
}
break;
case stDecay:
p_env->amplitude = decay(p_env, t);
break;
case stRelease:
p_env->amplitude = release(p_env, t);
break;
}
p_env->tick++;
if (p_env->tick == INT32_MAX) {
perror("tick overflow\n");
}
return p_env->amplitude;
}
#define LOOP_N (3)
#define STEP_LENGTH (1000)
#define GATE_LENGTH (500)
#define SAMPLING_PERIOD (0.001f)
int main()
{
Envelope env;
Envelope_init(&env, SAMPLING_PERIOD);
env.capacitance = 22;
env.attackR = 3;
env.decayR = 4;
env.releaseR = 10;
env.sustainLevel = 0.3;
for (int j = 0; j < LOOP_N; j++) {
Envelope_gateOn(&env);
for (int i = 0; i < STEP_LENGTH; i++) {
if (i == GATE_LENGTH) {
Envelope_gateOff(&env);
}
float v = Envelope_step(&env);
printf("%f\n", v);
}
}
}
充放電に使うコンデンサの容量は
capacitance: 22uF
パラメータに使うPOTの値は
AttackR: 3kΩ
DecayR: 4kΩ
SustainLevel: 0.3
ReleaseR: 10kΩ
としています。
メモ：
微分方程式を数値積分したほうが計算量が少なくプログラムの動作にも合っていると思いますが、技量がありません。いずれやってみるかもしれません。
