出力レベルを可変させるには出力段のアンプが必要
部品数をあまり増やしたくないので、AVRのPWMの波形をPOTで分圧して
ボルテージフォロワーでバッファリングする方向で回路図を修正した
簡単にブレッドボードで実験してみたら問題が発覚（＾ｑ＾；
回路図のR10で分圧しているが、ここのGND側を0VのGNDにすると
分圧した電位が0VのGNDに対する電位なってしまう
何が不都合かというと
VGND（VCC/2）を出力のGNDとして使った場合、ほんとはVGNDを中心にH/Lが正負に振れる矩形波を出力したいのに、矩形波のHはPOTの分圧で減衰できるがLは0Vのままだ
簡単に言うとマイナス側に偏ってしまう
R10のGND側を0VのGNDとVCC/2のVGNDに切り替えればたぶんうまくいきそうだが
確信が持てないのでLTSpiceでシミュレーションしてみた
ついでに、物理的なスイッチではなくてMOS-FETを使ったスイッチング回路でできるかどうかも検討してみた
V1がAVRからの矩形波出力で5V/1kHzに設定
R3、R4で1/5に分圧して1Vを取り出してU2のボルテージフォロワーでバッファリングしている
V2は電源でR1、R2で分圧、U1のボルテージフォロワーでバッファリングしている
V3はAVRのデジタル出力のつもりでスイッチング用のMOS-FETのM1をドライブして0VのGNDのON/OFF
V4は逆にM2をドライブしてVCC/2のVGNDをスイッチングする
最初はGNDとVGNDを出しっぱなしにするつもりだったが、このスイッチング回路で出力のGND（回路図のGND_OUT）を切り替える風にしてみた
R7は負荷抵抗だ
過渡解析
V(out):上側の赤色が出力電圧、I(V1):下側の緑色がV1のAVRの矩形波出力の電流だ
V3、V4を排他的に2.5msでH/Lを切り替えているので
0.0msから2.5msが0VのGNDの出力、2.5msから5.0msがVCC/2（VCCを5Vとしたので2.5V）を境にした出力になる
見た感じうまくいっているような気がする
V1の出力（AVRのPWM出力）がHのときV1はSource、LのときSinkになるのでAVRのGPIOが対応してるかどうか仕様を調べてみたが、まあ大丈夫そうだ（たぶん）
手持ちのMOS-FETが2N7000しかないのでもう1種類ぐらい調達しつつ、もう少しブレッドボードで実験する予定です
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