可変電流源ユニットでテスト
Nucleo F446の内蔵DACからノコギリ波を出力し、10kΩの負荷抵抗をつないで出力レベルを調整。
mbed Repository:
https://developer.mbed.org/users/ryood/code/Nucleo_AnalogOut_SawWave/
ch2:可変電流源ユニットの出力電圧
776.0mVp-p / 10kΩ = 77.6uAp-p
NJM13600に接続
ブレッドボード図
電源電圧: +5.00V / -4.97V
ch1:Wave入力 ch2:Wave出力
660.0mVp-pのサイン波を入力して、2.060Vp-pの振幅変調された波形が出力されている。
ch1:可変電流源ユニットに入力したエンベロープ波形 ch2:Wave出力
ch1はNucleo F446からの出力で、可変電流源ユニットでレベル調整後、電圧→電流変換している。可変電流源ユニットの出力電流は上の通り77.6uAp-p。
ch1:NJM13600のPin1(AMP BIAS INPUT A)の電位 ch2:Wave出力
NJM13600のAMP BIAS INPUTは電流入力なので電位の波形は歪になっている。
OPAMP＋PNP Trの電圧→電流回路でテスト
回路図
OPAMP＋PNP Trの電圧→電流回路のみで、Nucleo F446の内蔵DACからノコギリ波を出力し、10kΩの負荷抵抗をつないで出力レベルを調整。
ブレッドボード図
負荷をPNP Tr（T1）とGNDの間に入れた場合
ch1:エンベロープの入力電圧 ch2:ブレッドボード図のVOUTの電位
332mVp-p / 10kΩ = 33.2uAp-p
T1のコレクタより、GNDの方が電位が高いので反転した波形になっている。
負荷をPNP Tr（T1）とVEEの間に入れた場合
ch1:エンベロープの入力電圧 ch2:ブレッドボード図のVOUTの電位
GNDから見た電位。下がVEE（約-5V)からの波形になっている。
NJM13600に接続
ブレッドボード図
電源電圧: +5.00V / -4.97V
ch1:Wave入力 ch2:Wave出力
660.0mVp-pのサイン波を入力して、1.940Vp-pの振幅変調された波形が出力されている。
ch1:電圧→電流変換回路に入力したエンベロープ波形 ch2:Wave出力
ch1:レベル調整、LPFフィルタ回路通過後のエンベロープ波形 ch2:Wave出力
電圧→電流変換直前の電圧波形で、888mVp-pになっている。LPFはR8の抵抗値を最小にして効かないようにしている。
ch1:NJM13600のPin1(AMP BIAS INPUT A)の電位 ch2:ch2:Wave出力
エンベロープにLPFを効かせる
ch1:レベル調整、LPFフィルタ回路通過後のエンベロープ波形 ch2:Wave出力
R8の抵抗値を中位にした。振幅変調がなめらかになっている。
メモ：
電源電圧は±3V程度から動作するようだ。
電圧→電流変換の比率をもう少し大きくし（現状だとI=V/10,000)、入力のトリマで減衰させるようにしたほうがいいか？
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